Rozwój technologii półprzewodników i prognozy rynkowe
Samsung uruchomi produkcję baz HBM w technologii 2 nm w zakładzie NRD-K 2
Koncern przekształci obiekt NRD-K 2 w fabrykę typu foundry dedykowaną wytwarzaniu warstw bazowych pamięci HBM. Wykorzystanie litografii 2 nm ma wzmocnić pozycję firmy w strategicznym segmencie półprzewodników do sztucznej inteligencji. Inwestycja stanowi bezpośrednią odpowiedź na rosnący popyt na najbardziej zaawansowane układy scalone.